Transistor Mosfet Canal N - IRF840

Transistor Mosfet Canal N – IRF840

Os transistores Mosfets ou transistores de efeito de campo são controlados pela tensão e agem como interruptores em um circuito, operando principalmente como chave. No entanto o componente não fica limitado a esse uso, podendo trabalhar de diversas maneiras, inclusive como amplificação de tensão. Uma grande vantagem do Mosfet é a sua rapidez de comutação, possibilitando o uso em projetos de alta frequência.

Produzido em três camadas, o transistor desse tipo normalmente é composto de silício ou germânio e é muito utilizado na construção de chips e processo de amplificação de sinais e operações de chaveamento.

O Transistor Mosfet Canal N ou NMOS– Negativo funciona de forma análoga ao Transistor NPN, conta com três terminais, sendo esses: Gate, Dreno e Source. O Gate (Porta) é a chave liga/desliga desse Mosfet, o Dreno que é ligado a carga e o Source que é ligado em GND para o caso do Mosfet de canal N. Conforme aumentamos a tensão Em Gate-Source (VGS), aumentamos a tensão do Dreno.

Para verificar a ordem dos terminais em seu transistor e identificar qual é o Gate, Dreno e o Source, consulte o datasheet disponível em Principais Características.

Principais características:

• Fabricante: IR
• Modelo: IRF840 Hexfet Power Mosfet
• Tipo: Mosfet
• Polaridade: Canal N
• Package: TO-220AB
• Tipo de Montagem: PTH
• VSD máx: 2V
• ID (@25°) máx: 8A
• RDS on máx: 0,85Ω
• Pd máx: 125W
• VGS máx: ±20V
• VGSth min-máx: 2V a 4V
• Tj min-máx: -55 a 150°C
• Datasheet: IRF840

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