Transistor Mosfet Canal N – IRF540N
Os transistores Mosfets ou transistores de efeito de campo são controlados pela tensão e agem como interruptores em um circuito, operando principalmente como chave. No entanto o componente não fica limitado a esse uso, podendo trabalhar de diversas maneiras, inclusive como amplificação de tensão. Uma grande vantagem do Mosfet é a sua rapidez de comutação, possibilitando o uso em projetos de alta frequência.
Produzido em três camadas, o transistor desse tipo normalmente é composto de silício ou germânio e é muito utilizado na construção de chips e processo de amplificação de sinais e operações de chaveamento.
O Transistor Mosfet Canal N ou NMOS– Negativo funciona de forma análoga ao Transistor NPN, conta com três terminais, sendo esses: Gate, Dreno e Source. O Gate (Porta) é a chave liga/desliga desse Mosfet, o Dreno que é ligado a carga e o Source que é ligado em GND para o caso do Mosfet de canal N. Conforme aumentamos a tensão Em Gate-Source (VGS), aumentamos a tensão do Dreno.
Para verificar a ordem dos terminais em seu transistor e identificar qual é o Gate, Dreno e o Source, consulte o datasheet disponível em Principais Características.
Principais características:
- Fabricante: IR
- Modelo: IRF540NPnF Hexfet Power Mosfet
- Tipo: Mosfet
- Polaridade: Canal N
- Package: TO-220AB
- Tipo de Montagem: PTH
- VSD máx: 1,2V
- ID (@25°) máx: 33A
- RDS on máx: 44mΩ
- Pd máx: 130W
- VGS máx: ±20V
- VGSth min-máx: 2V a 4V
- Tj min-máx: -55 a 175°C
- Datasheet: IRF540NPbF
Acompanha:
01- Transistor Mosfet Canal N – IRF540NPbF
